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近期， Diodes公司推出ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器。
该控制器扩展了对具有高达±400V的轨电压的冗余电源系统的支持能力，还创建于在以前的40V和200V器件中所采用的成功设计。低关断阈值电压使RDS(on)非常低的MOSFET能作为理想二极管工作，从而可提供高效率的电源系统，非常适合于电信系统、数据中心和(其中需要将两个或更多的或(OR’ing)起来一起提供冗余)中的目标应用。
鉴于采用更高的系统电压来提高配电效率的趋势，ZXGD3112N7还有助于提高系统可靠性，其原因是与肖特基阻塞二极管的替代方案相比，将其与低RDS(on)的MOSFET结合使用，可实现在更低温度下工作。除了可提高系统效率之外，其<5mV的关断阈值电压，可提高轻负载的稳定性，而可在<600ns时间内关断的能力，可避免反向电流流动，并防止公共轨上的电压降。5A的灌电流可确保并联MOSFET的栅极的快速放电。
ZXGD3112N7具有一流的关断阈值电压和400V的额定电压(其值是竞争对手的OR’ing控制器的四倍)，在整个负载范围内，效率、可靠性和稳定性都非常出色。
